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VCSEL晶圆

简要描述:VCSEL晶圆,850 nm VCSEL 外延结构具有 > 4mW 的光功率、0.6 mA 的低阈值电流和适当的光谱特性,适用于电信和光通信应用。

  • 产品型号:
  • 厂商性质:代理商
  • 更新时间:2023-10-13
  • 访  问  量:421

详细介绍

品牌其他品牌供货周期两周
应用领域环保,化工

VCSEL晶圆 VIGO提供常见波长的VCSEL外延,例如850nm,940nm,1550nm;也可提供结构定制。可提供外延整片或者DIE;无论是处于产品设计的概念阶段,需要对现有产品进行创新升级,还是寻求开箱即用的解决方案。 我们都可以为客户提供研发项目的技术支持,并提出新的方法和途径来生产符合客户要求的外延结构。

850 nm VCSEL 外延结构具有 > 4mW 的光功率、0.6 mA 的低阈值电流和适当的光谱特性,适用于电信和光通信应用。

主要特点

厚度公差与规格<0.01%

载体浓度公差 <+/-10%

标准波长公差<+/-5nm

反射率下降位置 <+/-3nm(不包括5mm边环)

芯片的显微镜图像:

芯片尺寸:

VCSEL晶圆产品性能

VCSEL,切割前的裸片,T=20 | 当前孔径Φ=~4μm

电光特性:

PARAMETER SYMBOL TEST COND. SAMPLE NO.21_1L
Emission wavelength λR[nm] POP=2.0mW 854
Threshold current ITh [mA] —— 0.7
Threshold voltage VTH [V] —— 1.95
Laser current lop [mA] POP=2.0mW 2.63
Laser voltage Uop [V] POP=2.0mW 2.37
Slope efficiency ns [W/A] —— 1.02
Output power Popt [mW] POP=6.0mW 4.93
Differential series resistance Rs [2] POP=2.0mW 180
Thermal resistance(VCSEL chip) Rthremal[K/mW] —— 6.2-7.8
Side mode suppression ratio SMSR POP=2.0mW 25
Wavelength tuning over temperature [nm/K] —— 0.052
Wavelength tuning over current dλ/dl [nm/mA] —— 0.72-0.85

绝对最大额定值:

温度:储存(-40℃至120℃),工作(-20℃至110℃)

电气:反向电压(5V)CW电流(10mA),脉冲电流(7mA)

 

FP-DIP的波长分布

MQW的光致发光扫描

SIMS-二次离子质谱

Si和C掺杂剂的分布。 DBR 和 QW 中的可见 Al(x)Ga(1-x)As 层/有源区中的势垒

光谱特性

电光特性

产品应用

面向光通信、3D视觉、人脸识别、原子钟、磁强计、激光雷达、医疗医美、AR/VR等等行业厂商的VCSEL外延需求。

 

 

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