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III-V族外延晶片

简要描述:III-V族外延晶圆是MCT/InAs/InAsSb探测器的设计者和制造商,提供低温制冷的红外探测器、III-V族外延片,覆盖1-16μm光谱范围,同时提供探测器模块、前置放大器、TEC温控等组件和解决方案。提供VCSEL晶圆和InGaAs晶圆。

  • 产品型号:
  • 厂商性质:代理商
  • 更新时间:2023-10-13
  • 访  问  量:372

详细介绍

品牌其他品牌供货周期两周
应用领域环保,化工

III-V族外延晶片 波兰VIGO公司成立于1993年,拥有一支超过30年红外探测器研究经验的资深专家队伍,是MCT/InAs/InAsSb探测器的设计者和制造商,提供低温制冷的红外探测器、III-V族外延片,覆盖1-16μm光谱范围,同时提供探测器模块、前置放大器、TEC温控等组件和解决方案。提供VCSEL晶圆和InGaAs晶圆。

产品介绍

VIGO的ENT外延部门生产III-V(GaAs-,InP-)相关的半导体化合物,在外延方面有35年的经验,并且能够根据客户需求提供定制服务。VIGO利用MOCVD外延技术制备了二元、三元、四元和五元三-五元化合物半导体的原子工程外延层,具有德国柏林厂商Laytec的监控生产系统,拥有水平层流反应器,进行基片载流子的多次旋转产品。这条新产品线扩展了VIGO公司的产品组合,为各种微电子和光子应用提供外延服务,下游的应用包含三极管,二极管,激光器,探测器等。具有以下特点:

  • 外延纳米技术,超越单一技术解决方案

  • 大规模生产或小批量制造,提供多类优质外延片

  • 生产的高级III-V族化合物半导体外延结构,被广泛运用于光子设备(F-P、VCSEL、QCL激光器、光电探测器)、微电子设备(二极管、晶体管)

  • 聚焦无线、电信、传感或打印领域的高度创新型产品,可提供全面的研发服务。

III-V族外延晶片主要特点

  • 超高纯度

  • 精确控制厚度在±1nm

  • 优秀的均匀性

  • 重现性

  • 可外延尺寸 2, 3, 4,8英寸

产品性能

XRD曲线:

产品纯度一致性:

表面粗糙度:

量子井:

产品应用

半导体类型:

  • 场效应晶体管,被动器件,高迁移率晶体管

  • EEL,SOAs1300-1600 nm,VCSELs(例850nm),DBR,QuantumDots

  • LED(550nm to infrared) ,Microwave ,Schottky,High-Brightness

  • InGaAs, AlGaAs探测器,SWIR, LWIR

外延晶圆类型:

  • GaA based – GaAs,AlxGa1-xAs,InxGa1-xAs,In1-(y+z)GayAlzAs,In0.5(Ga1-xAlx)0.5P

  • InP based – InP,In0.53Ga0.47As,In0.52Al0.48As,InxGa1-xAsyP1-y,(AlxGa1-x )InyP1-y

 

GAAS BASED PRODUCTS INP BASED PRODUCTS
AlGaAs/GaAs QW edge emitting lasers

 

VCSELs

FETs, HEMTs, Schottky diodes

varactors

InGaAsP/InP strained or matched QW edge emitting
lasers and SOAs 1300 – 1600nm
GaAsP/GaAs strained QW edge emitting lasers InGaAs/InP QW edge emitting lasers
InGaAsP/GaAs QW lasers 808nm InGaAsP/InP VCSEL structures
InGaAs/AlGaAs/GaAs strained QW lasers InAlGaAs/InP edge emitting and VCSEL structures
InAs/GaAs QD lasers InGaAsP/InP passive devices
AlGaAs/GaAs passive waveguides InGaAs photodetectors
Manufactured to specification InAlAs/InGaAs/InP HEMTs
Manufactured to specification

 

 

 

 

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